| 型号： | IPSH4N03LA G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 25V 90A IPAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPSH4N03LA G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.4 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 40µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3200pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 94W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | IPSH4N03LAGX SP000016331 |